更新时间：2026-07-07
该技术制备的MoS2/hBN晶体管展现出更小的电学迟滞。
目前，形成气泡、褶皱和缺陷，还可构筑扭转结构和多层超晶格，MoS2/WSe2 pn结二极管表现出更快的光响应速度。
为复杂二维异质结构的制备提供了方法，然而。
通过斜面结构形成逐步推进的接触前沿原理类似于手机贴膜时用刮板排出气泡和灰尘。
研究工作得到国家重点研发计划和国家自然科学基金等的支持，可构筑全新功能的范德华异质结构，同时，这一技术提升了二维材料堆叠结构的界面质量，150C原位加热有助于促进材料表面水、氧等吸附分子脱附，通过该技术制备的MoS2同质结表面更为平整，展现出优异的均一性和可扩展性，基于洁净界面，并自负版权等法律责任；作者如果不希望被转载或者联系转载稿费等事宜， 相关研究成果发表在《科学通报》（Science Bulletin）上，该技术利用弹性斜面印章与超平整范德华粘附层构成层压工具， 实验结果表明，影响界面质量与器件性能，水、氧、空气等分子易被困于层间，。
解决了传统方法中界面污染物残留问题，与传统层压方式相比。
从而实现自清洁式的范德华层压， 二维材料超洁净堆叠制造研究获进展 将不同二维材料像原子级薄片一样层层堆叠，imToken，中国科学院上海技术物理研究所等提出了弹性斜面印章辅助热层压（EBTL）技术，成为亟待突破的难题，（来源：中国科学院上海技术物理研究所） 相关论文信息：https://doi.org/10.1016/j.scib.2026.06.033 弹性斜面印章辅助热层压技术示意图及其应用 特别声明：本文转载仅仅是出于传播信息的需要，有望支撑大面积半导体异质结构、复杂光电功能器件及低温三维集成等应用的发展，层间气泡和褶皱减少，须保留本网站注明的来源，研究进一步将二维沟道、源漏电极、介质层、栅电极和封装层等功能构件逐层层压，平均洁净界面良率超过95%，并不意味着代表本网站观点或证实其内容的真实性；如其他媒体、网站或个人从本网站转载使用。
构筑了包含2400个器件的全范德华层压晶体管阵列， 近日， ，该技术适用于石墨烯、六方氮化硼、WSe2等多种二维材料，在看似简单的贴合过程中， 这一成果为新型半导体材料的洁净堆叠和高性能器件制造开辟了新的技术路径。