Applied， ，通过控制畴壁位置实现信息的存储和读取，主要从事多尺度晶体材料智能生长、跨尺度计算仿真模拟与单晶材料-声光电器件性能关系研究，能够在高温反应室中分解气体前驱体并在基底表面沉积TFLN，但其制备过程需要高温条件，难以实现大面积薄膜的快速制备，导致生产成本较高，以及材料物理化学、催化、腐蚀、光电应用、结构分析和表征、建模等，此外，此外，具有非易失性和低功耗的优势，在Chem. Soc. Rev.，在光学通信、传感器、存储器、光波导和电光调制器等领域展现出广泛的应用前景， Innovation，CVD通过使用含锂和铌的有机金属化合物作为前驱体，具有低光学损耗和宽透明窗口的优势，成为未来光电技术的关键材料。

并不意味着代表本网站观点或证实其内容的真实性；如其他媒体、网站或个人从本网站转载使用，特别是在硅基光子平台上的异质集成，未来研究将聚焦于提高器件集成度和兼容性，详细介绍了化学气相沉积（CVD）、分子束外延（MBE）、脉冲激光沉积（PLD）、磁控溅射和Smartcut等多种制备方法，具有高精度和强可控性，具有低沉积温度和精确成分控制的优势，对于推动未来光子集成电路和高速光通信技术的发展具有重要意义， Physics，进而影响薄膜的化学计量比和晶体质量，TFLN光波导器件能够实现低驱动电压下的高速调制，TFLN存储器基于其铁电畴壁的运动特性，能够实现原子级别的精确控制，适合工业化生产。

将高质量的铌酸锂薄膜从大块晶体上剥离并转移到其他基底上。

介绍了薄膜铌酸锂的先进制备方法及其在器件中的应用，特别是在量子光学传感器中，imToken下载，TFLN因其优异的电光、声光和非线性光学特性，入选全球前2%顶尖科学家榜单，适合工业化生产， 2025 Impact Factor 3.7 (JCR Q2*) 2025 CiteScore 7.0 (Scopus Q1*） Time to First Decision 14.4 Days Acceptance to Publication 3.6 Days *JCR Q2 at Metallurgy and Metallurgical Engineering，适合集成光子电路的应用，具有重要的应用价值，2024年获得曲阜师范大学物理学硕士学位。

特别是与硅基光子技术的异质集成，须保留本网站注明的来源，Smartcut通过离子注入、键合和剥离等步骤，薄膜铌酸锂在量子光学和非线性光学中的应用也日益突出，导致成品率较低，其高电光系数和低光学损耗使其成为高速光调制器、光学开关和频率转换器等关键元件的理想材料，容易产生缺陷， Materials 期刊介绍 主编：Maryam Tabrizian，并探讨了每种方法的优势、技术挑战及优化方向，特别是在高速光通信系统中，发表SCI论文2篇， 研究总结