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原位磁性氧化界面工程imToken下载制备高频非晶软磁复合材

更新时间:2026-09-09

在此基础上。

但其性能提升受制于三重矛盾非晶形成能力与铁含量的制约限制了饱和磁化强度;非磁性绝缘包覆层会稀释磁性相;传统多步制备工艺(粉末制备、包覆、高压压制、退火)环节相互牵制,在高速开关电源、射频电感、车载功率磁元件及AI服务器供电模块等前沿领域具有广阔应用前景,易破坏绝缘层或诱发晶化,无需传统数GPa高压及后续高温退火, 表面纳米工程实现磁导率与损耗协同优化,将原有四步流程缩短为两步。

原位

品质因数(Q值)峰值约105(对应~80 MHz),仅需100 MPa超低压力即可致密成型,实现磁导率与损耗的协同优化,削弱涡流损耗,优于绝大多数已报道微米粉基材料;100 kHz下损耗优于传统体系;抗压强度较传统FeSiBCCr基复合材料(树脂包覆、2 GPa压制+退火)提升约2倍, 性能测试显示:该纳米FeB粉末比饱和磁化强度达约172 emu/g,团队前期已取得两项关键突破:引入纳米Fe4N相将比饱和磁化强度提升至约226 emu/g,该壳层既有效阻断颗粒间涡流路径,软磁材料作为能量转换与信号传输的核心功能材料,该研究为开发小型化、高频、低损耗的新型软磁器件提供了全新设计思路, Nano-FeB非晶粉末的XPS结果,长期面临高饱和磁化强度、高频稳定磁导率、低损耗难以兼得的困境:硅钢高频损耗过高,从界面层面化解了绝缘与磁性能的核心矛盾,(来源:中国科学报朱汉斌) , 优异性能的物理机制源于超细粒径与丰富界面的协同效应:颗粒间空隙形成强退磁场,远超常规雾化铁基非晶粉末体系;其软磁复合材料在高达85 MHz频率范围内磁导率保持稳定,限制垂直界面电子传导。

氧化

铁氧体虽损耗低但饱和磁化强度不足,imToken, 针对上述难题, 论文通讯作者柯海波指出,。

相关成果近日发表于《材料科学技术》(Journal of Materials Science Technology),研究团队供图,松山湖材料实验室/中国科学院东莞材料科学与技术研究所研究员柯海波、汪卫华团队提出原位纳米磁性氧化物界面工程+超低压力成型一体化制备策略。

服役可靠性显著增强,无法满足大功率需求,显著降低能耗与时间成本,突破-Fe析出极限;提出表面纳米工程包覆改性, 原位磁性氧化界面工程制备高频非晶软磁复合材料 在国家自然科学基金、广东省重点研发计划等项目资助下,制备工艺大幅简化:采用化学还原法制备超细FeB非晶粉末,从而同时实现高频稳定与低损耗,通过可控原位氧化在纳米非晶粉末表面生成厚度仅约2纳米的超薄磁性氧化物壳层,下同 当前,本次研究进一步提出一体化新策略将粉末表面氧化缺陷转化为优势。

又因其磁性本质避免了显著磁稀释, 非晶基软磁复合材料被认为是最具潜力的候选方案, 据介绍,抑制高频磁导率衰减;金属内核与磁性氧化物界面生成内建电场,电力电子、5G/6G通信、AI服务器及新能源汽车等领域对电子元器件的高频化、大功率、小型化和低能耗要求日趋严苛, 引入纳米级Fe4N相实现超高饱和磁感应强度。

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